Keramisk skiva av kiselkarbid

Keramisk skiva av kiselkarbid

Kiselkarbidkeramisk skiva som används för bränning av allmänt porslin och keramiska produkter (temperatur under 1 450 grader), är tillverkad av SiC bunden av Silicon Oxide (Si2O3), och tekniskt kallad "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Skicka förfrågan
produkt introduktion

 

Introduktion

Kiselkarbidkeramisk skiva som används för bränning av allmänt porslin och keramiska produkter (temperatur under 1 450 grader), är tillverkad av SiC bunden av Silicon Oxide (Si2O3), och tekniskt kallad "Oxide Bonded Silicon Carbide".

1 

Teknisk parameter

Typisk kvalitetsanalys

 

Oxidbunden

SiC (O-SiC)

Max. servicetemperatur (grad)

1450

Kemisk sammansättningSiC ( procent )

90

SiO2

8

Synbar porositet ( procent )

7-8

Bulkdensitet (g/cm3)

2.75

Rupturmodul

50

på RT (Mpa)

1400 grader

55

Termisk expansion

4.2-4.8

vid 1000 grader (10-6K-1)

Värmeledningsförmåga

13.5-14.5

vid 1000 grader (W/mK)

 

Produktfördel

Detta SiC eldfasta material har mycket hög värmeledningsförmåga (nästan 10 gånger högre än mullit eldfast) och hög strålningshastighet av långvågig infraröd som ger mycket hög värmeeffektivitet mot produkter.
När det gäller kostnadsprestanda för bränning av allmänna porslins- och keramiska produkter är denna oxidbundna SiC den mest värdefulla och lämpliga eldfasta produkten. Den maximala rekommenderade servicetemperaturen för vår SiC-platta (O-SiC) är 1 450 grader.

2 


Produktionsutrustning

 3


Populära Taggar: kiselkarbid keramisk skiva, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, pris, kiselkarbid med oxidbindning för rotationsgjutning, Oxidbundet SIC för beläggning, Överför gjutningsapplikation Oxid bundet kiselkarbid, Värmebehandlingsapplikation Oxid bundet kiselkarbid, Rotationell gjutningsapplikation oxid bunden kiselkarbid, korrosionsbeständig sic platta

Skicka förfrågan

whatsapp

Telefon

VK

Förfrågning