Keramisk skiva av kiselkarbid
Introduktion
Kiselkarbidkeramisk skiva som används för bränning av allmänt porslin och keramiska produkter (temperatur under 1 450 grader), är tillverkad av SiC bunden av Silicon Oxide (Si2O3), och tekniskt kallad "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Teknisk parameter
Typisk kvalitetsanalys |
| Oxidbunden |
SiC (O-SiC) | ||
Max. servicetemperatur (grad) | 1450 | |
Kemisk sammansättningSiC ( procent ) | 90 | |
SiO2 | 8 | |
Synbar porositet ( procent ) | 7-8 | |
Bulkdensitet (g/cm3) | 2.75 | |
Rupturmodul | 50 | |
på RT (Mpa) | ||
1400 grader | 55 | |
Termisk expansion | 4.2-4.8 | |
vid 1000 grader (10-6K-1) | ||
Värmeledningsförmåga | 13.5-14.5 | |
vid 1000 grader (W/mK) |
Produktfördel
Detta SiC eldfasta material har mycket hög värmeledningsförmåga (nästan 10 gånger högre än mullit eldfast) och hög strålningshastighet av långvågig infraröd som ger mycket hög värmeeffektivitet mot produkter.
När det gäller kostnadsprestanda för bränning av allmänna porslins- och keramiska produkter är denna oxidbundna SiC den mest värdefulla och lämpliga eldfasta produkten. Den maximala rekommenderade servicetemperaturen för vår SiC-platta (O-SiC) är 1 450 grader.
Produktionsutrustning

Populära Taggar: kiselkarbid keramisk skiva, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, pris, kiselkarbid med oxidbindning för rotationsgjutning, Oxidbundet SIC för beläggning, Överför gjutningsapplikation Oxid bundet kiselkarbid, Värmebehandlingsapplikation Oxid bundet kiselkarbid, Rotationell gjutningsapplikation oxid bunden kiselkarbid, korrosionsbeständig sic platta
Ett par
NejNästa
SiC Ceramic BoardDu kanske också gillar
Skicka förfrågan






