Oxidbunden SiC Keramikbräda
video

Oxidbunden SiC Keramikbräda

Högtemperaturresistent SiC hyllplan / oxidbunden kiselkarbidhylla för keramikintroduktion Oxidbindad silikonkarbid, även kallad Oxidbunden keramikskiva som används för att skjuta generell porslin och keramikprodukt (temperatur under 1 450 ° C), tillverkas av SiC bunden av ...
Skicka förfrågan
produkt introduktion

Högtemperaturresistent SiC hyllplan / oxidbunden kiselkarbidhylla för keramisk introduktion

Oxidbindad silikonkarbid, även kallad Oxidbunden keramikplatta, som används för att skjuta generell porslin och keramikprodukt (temperatur under 1 450 ° C), tillverkas av SiC bunden av silikonoxid (Si2O3) och kallas tekniskt "Oxid Bonded Silicon Carbide".
Denna keramiska kartong med oxidbunden keramik har mycket hög värmeledningsförmåga (nästan 10 gånger högre än eldfast eldfasthet) och hög strålningshastighet för långvåglängdsinfrarött som ger mycket hög värmeeffektivitet mot produkter.

Det är huvudsakligen lämpligt för sintring av hushållsartiklar i tunnelugn, pendlingsugn och rullugn under 1400 grader Celsius. Används med kolonn, produkten har stabil struktur, uthärdar hög temperatur och stor intensitet, utan deformation. Bra motstånd mot termisk chock och lång livslängd. Detta SiC Special Shape-liv är mer än 200 gånger samtidigt som det har bra värmeledande effektivitet på grund av sin stora värmeledningsförmåga, det sparar mer än 30% energi som huvudsakligen används för lustreringsbränsle genom att ta bort plattor från sintringshushåll keramikugn.

Detalj diagram1.jpg

Högtemperaturmotstånd SiC hyllplan / oxidbunden kiselkarbidhylla för keramik Typisk kvalitetsanalys

ARTIKEL

ENHET

INDEX

SIC Kemisk sammansättning: SIC≥

%

90

Fysikegenskaper

Max. Service Temp.

1550

Refractoriness≥

SK

39

Refraktoritet under belastning (2kg / cm2) ≥

1750

Brytningsmodul vid rumstemperatur.

Kg / cm2

500

Rupture-modul vid 1400 ℃

Kg / cm2

550

Kompressionsstyrka ≥

Kg / cm2

1300

Termisk expansion vid 1000 ° C

%

0,42-0,48

Tydlig porositet

%

7-8

Bulk Density

g / cm3

2,70-2,75

Termisk ledningsförmåga vid 1000 ℃

Kcal / m.hr. ℃

13,5-14,5

Vår tjänst

Ge teknisk design och lösningar;

Ny anläggningskonstruktion;

Utformning och tillverkning av icke-standardutrustning;

Professionell teknisk utbildning och vägledning på plats enligt kontraktet;

Leveranstillbehör när som helst;

Tele-teknisk konsultation och tjänster;

Annan speciell teknisk service enligt kundens krav.

Produktionsprocess

A:) Råmaterial

B:) deironing

C:) Mögel

D:) Genom att trycka

E:) torkning

F:) Sintring

G:) Beläggning

H:) Kontroll

I:) Assambling

J:) Kontrollera igen

K:) Förpackning

2.4 Workshop.jpg


Populära Taggar: oxidbunden SiC keramikbräda, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, pris

Skicka förfrågan

whatsapp

Telefon

VK

Förfrågning