Reaktionssintring av kiselkarbid introduktion

Reaktionssinterad kiselkarbid, även känd som självbunden kiselkarbid, hänvisar till processen där en porös stav reagerar med en gasfas eller en vätskefas för att förbättra kvaliteten på skivan, minska porerna och sintras den färdiga produkten med en viss styrka och dimensionell noggrannhet. A-SiC-pulvret och grafiten blandas i ett visst förhållande och upphettas till cirka 1650 ° C för att bilda en biljett. Samtidigt penetrerar eller tränger det in i stålplattan med gasfas Si, reagerar med grafit för att bilda ß-SiC och kombinerar de befintliga a-SiC-partiklarna. När Si är fullständigt infiltrerat kan en reaktionssintad kropp med en fullständig densitet och en storlek utan krympning erhållas. Jämfört med andra sintringsförfaranden är den dimensionella förändringen av reaktionssintringen i förtätningsprocessen liten, och en produkt med en exakt storlek kan erhållas, men närvaron av en stor mängd SiC i den sintrade kroppen försämrar högtemperaturen reaktionssintrat SiC-keramik.

https://www.hshightec.com/